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Flash替代品石墨烯和记忆体取得进展

2021-06-07 19:19:55 [来源]:

斯坦福大学科学家们在用单颗粒厚的纳米材料,石墨烯进行实验后发表了研究。

美国大学最近的三个实验表明,图形的容量比基于硅的内存更多,占地面积分数和功耗。

石墨烯最初是十年前孤立的,但到目前为止,哈茨利地少数实际应用。它是铅笔铅的纯化相对,当碳原子连接到片材厚的片材中时形成。石墨烯比钢强,导电是铜,具有可用于纳米级电子的热性能。

基于石墨烯的存储技术通过将电力施加到材料的速度来改变,以在导电和非导电状态之间切换。

斯坦福教授HS Philip Wong Asteric Pop领导了一批国际合作者,在自然通信,纳米字母和应用物理字母中单独描述了三个石墨烯的内存技术。

“石墨烯是本研究的明星,”Pop,三个内存项目中的两个贡献者表示。“通过这些新的存储技术,可以想到设计一个智能手机,可以使用较少的电池功率存储10倍的数据,而不是我们今天使用的内存。”

黄说:“数据存储已成为一个重要的大型电力消费者,以及新的固态内存技术,如这些,也可以改变云计算。”

与此同时,瑞士国家科学基金会的研究人员已经证明了基于材料的物料仅为5米厚,可以在三种状态变化之间切换,提供所谓的TosuperSedethe位。

提供三个稳定电阻状态的能力打开了在0到1之间的状态计算的可能性。

该项目的研究人员之一Jennifer Rupp表示:“这对被称为模糊逻辑的内容具有有趣的影响,这旨在将一种不确定性纳入数字信息的处理中。您可以将其描述为刚性计算。“

Memitristor的原理首先于1971年描述为电子电路的第四基本组件,以及电阻器,电容器和电感器。惠普和英特尔都从事Memristor Research。

这个消息在微米和英特尔3D xpoint的宣布上发表了热。它还提供了NAND​​闪光灯容量密度的10倍,但在速度和耐力方面有1000倍优势。涉及带3D XPoint的索赔产品将于2016年发货。

所有这三种技术都是在未来十年中取代NAND Flash的候选人,这是一个由克服维持耐用性和运营效率的困难而导致的转换,因为闪光缩小到更小的细胞尺寸。

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