3D xpoint等人强制架构和软件更改
即将到来，更快的固态存储技术将为IT硬件架构带来更改，并强制重写软件以利用它们。
Intel / Micron的3D XPoint和HPE的Memristor等技术比目前的NAND Flash的第1,000倍速度更快 - 将用作缓存内存。这意味着它们将驻留在RAM和闪存存储之间，并且通过将需要重写的应用程序在字节级别访问，以便他们现在访问后端存储。
这些是NetApp的CTO办公室办公室和稳健国家存储倡议联合主席（SNIA）的亚历克斯麦当劳的观点。
“我们正在谈论两个奥运会，所以七年或八年，直到商业产品可用，”他说。
“我们所谈论的是”持久的记忆“，1,000倍慢于DRAM，但比闪存更快1,000倍，又比旋转磁盘快1,000倍。”
麦当劳表示，在目前经常出售的Flash，以模仿传统硬盘驱动器的形式因素，并且需要通过SCSI软件堆栈进行存储，不适合这些即将到来的持久存储器技术。
“你投入了SSD及其软件堆栈，找到SCSI通信占用了计算时间的微秒，”他说。“所以，如果软件堆栈占延迟的一半，则需要摆脱它，但您不能使用SSD技术。”
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闪存存储已经通过风暴拍摄企业，但由于技术障碍和制造经济学的不利组合，其日的日子被编号。闪存存储将在十年结束时击中开发条款的墙。但哪个后继最好放弃它：Memristor，MRAM或相变内存？持久存储器将是字节寻址 - 例如，作为内存能够仅在数据库记录中表示字符的位 - 而不是必须通过I / O软件堆栈来解决千字节大小的块。
此外，目前，操作系统使用上下文切换，以便在任务之间移动，因为一个任务在I / O中与存储器啮合。但是，如果将足够的持久存储器移动到上面的存储层，并且对于纳秒的延迟，则不需要上下文切换。
对于所有这些原因，需要重写应用程序和操作系统以处理新架构，表示麦当劳。但他补充说，持续的内存需要用作缓存，附近CPU，因为“超过几英尺远的开始放置严重的延迟限制”。
Snia和NetApp Man表示，未来的数据中心，例如，50PB将包括5PB的闪光灯和0.5pb在分层架构中的持续内存，包括DRAM，持久存储器，闪光灯，旋转磁盘和冰川/胶带。
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